科研发现电针预处理可诱导脑缺血耐受

2005年05月10日 《中国医药报》 日前，第四军医大学西京医院麻醉科劳宁博士等科研人员完成的一项国家自然科学基金资助项目“不同频率电针预处理对诱导脑缺血耐受程度的差异”课题证明，3种频率的电针预处理（2/5赫兹、2/15赫兹、2/100赫兹）均能不同程度地诱导脑缺血耐受，其中2/15赫兹频率电针诱导脑缺血耐受效果最好。
据研究者介绍，以往实验发现，不同频率的电针刺激具有不同的生理效应。2赫兹低频电针促进脑啡肽释放，100赫兹高频电针主要使强啡肽释放，15赫兹中等频率电针可以同时释放脑啡肽和强啡肽。为探讨不同频率电针预处理（2/5赫兹、2/15赫兹、2/100赫兹）对诱导脑缺血耐受程度是否有差别，劳宁博士等将sd雄性大鼠48只，随机等分为4组，即戊巴比妥对照组，电针2/5赫兹、2/15赫兹和2/100赫兹组。戊巴比妥对照组腹腔注射戊巴比妥纳40毫克/千克·次，连续5天；电针组在戊巴比妥纳麻醉下根据组别分别用2/5赫兹、2/15赫兹或2/100赫兹频率的疏密波刺激百会穴，每天30分钟，共5天。最后一次处理24小时后，所有大鼠在异氟醚麻醉下用颈内动脉线栓法致右侧大脑中动脉栓塞120分钟。再灌注24小时后，行神经功能障碍评分，并取大脑行ttc染色以测量脑梗死容积。
结果显示，2/5赫兹、2/15赫兹和2/100赫兹电针组神经功能障碍评分均低于戊巴比妥对照组（p小于0.01），2/15赫兹电针组评分明显低于2/5赫兹组（p=0.008）和2/100赫兹组（p=0.002），2/5赫兹和2/100赫兹两组间评分差异无显著性意义（p=0.843）。电针组的脑梗死容积明显小于戊巴比妥对照组（p小于0.001），2/15赫兹组的脑梗死容积明显小于2/5赫兹组（p=0.02）和2/100赫兹组（p=0.004），2/5赫兹和2/100赫兹两组间脑梗死容积差异无显著性意义（p=0.511）。
研究结果表明，3种频率的电针都能诱导脑缺血耐受，以2/15赫兹频率电针的效果最好。研究者认为，这是因为3种频率引起内源性阿片肽的释放存在差异，2/15赫兹电针频率使某一种或几种阿片肽释放明显多于2/5赫兹或2/100赫兹；脑的缺血敏感区对2/15赫兹的频率反应性比其他两种频率敏感，因而产生的保护效果也最好。